目的：去除表面脏污和切割损伤层， 形成陷光结构；

方法：在热碱性溶液中通过各向异性腐蚀形成金字塔结构。

目的：掺杂形成PN结，形成内建电场，分离载流子；

方法：通过高温下BCl3扩散形成P+层，形成内建电场。

目的：在金属电极区域形成重掺杂区，其余地方保持轻掺；

方法：在金属电极区域通过SE激光形成选择性掺杂。

目的：修复SE重掺杂区域被激光破坏的BSG，起保护作用；

方法：高温下热氧化修复，形成完整的BSG。

目的：去除背面和侧面的BSG；

方法：链式结构利用HF刻蚀背面和侧面的BSG。

目的：背面抛光使硅片表面光滑平整，提高氧化隧穿层均匀性以及钝化效果，从而提高太阳能电池的光电转换效率；

方法：槽式热碱性溶液去除背面的金字塔绒面，形成平整的塔基结构。

目的：形成背面隧穿氧化层和非晶硅层选择性钝化结构。

方法：PECVD原位掺杂形成背面超薄SiOx和n+非晶硅层。

目的：非晶硅表面转化为多晶硅，激活P形成掺杂n+结构。

方法：通过高温晶化非晶硅，同时激活磷并形成电子隧穿通道。

目的：去除侧面和正面绕镀的PSG。

方法：链式结构利用HF刻蚀正面和侧面的PSG。

目的：去除侧面的N-poly硅和正背面的BSG/PSG。

方法：槽式热碱性溶液中刻蚀n-poly Si，HF刻蚀BSG/PSG 。

目的：AlOx薄膜提供表面钝化和场钝化效果，提高太阳能电池开压和降低表面少复合。

方法：通入TMA利用原子层沉积方式生长双面AlOx薄膜。

目的：沉积SiNx减反射薄膜，减少光的反射和防氧化。

方法：利用PECVD将通入的SiH4/NH3电离分解生长SiNx减反射薄膜。

目的：硅片表面印刷金属浆料，烧结后形成导电电极引出电流。

方法：分步印刷正背面主栅和副栅，烧结后形成金属电极。

目的：成品测试分选，按照不同等级和功率分选打包。

方法：通过AOI、EL和电性能测试，将电池成品分等级和功率包装。